Ширина запрещённой зоны полупроводника

[Антон Огурцевич]

470. Ширина запрещённой зоны полупроводника равна E_g = 0,8 эВ. Будет ли наблюдаться внутренний фотоэффект в этом полупроводнике, если его облучать светом с длиной волны λ = 2 мкм? Сделать рисунок.

[Сергей]

Минимальная частота (максимальная длина волны) света, при которой возникает фотопроводимость, называется красной границей фотопроводимости. Она определяется из условий

\[ \begin{align}
  & {{E}_{g}}=\frac{h\cdot c}{\lambda }.{{E}_{g}}=\frac{6,63\cdot {{10}^{-34}}\cdot 3\cdot {{10}^{8}}}{2\cdot {{10}^{-6}}}=9,945\cdot {{10}^{-20}}. \\
 & {{E}_{g}}=\frac{9,945\cdot {{10}^{-20}}}{1,6\cdot {{10}^{-19}}}=0,62. \\
\end{align} \]

Е_g - ширина запрещенной зоны, с = 3∙10⁸ м/с, с – скорость света, h – постоянная Планка, h = 6,63∙10^-34 Дж∙с, е – модуль заряда электрона, е = 1,6 ∙10^-19 Кл.
0,62 эВ < 0,8 эВ, внутренний фотоэффект в этом полупроводнике при таких условиях наблюдаться не будет.